2月21日水曜日に下記の内容で セミナーを行います。
皆様お誘い合わせの上、是非ご参加ください。
また学生さんにもお声掛け頂けると幸いです。

日時：2018/2/21（水）13:00～14:00
場所：多元研西１号館２Fセミナー室

演題：MOVPE法による低ドープGaNホモエピタキシャル成長技術
講演者：株式会社豊田中央研究所（兼）名古屋大学客員准教授　成田哲生 氏

概要：
　縦型GaNパワーデバイスのn型ドリフト層の品質は、省エネ性能を左右する重要な因子である。1.2 kV耐圧のデバイスを想定して「品質」を定義すると、n型ドリフト層の実効ドナー濃度のばらつきが面内・ロット間で10%以下であることと言える。実効ドナー濃度には、ドナー濃度・トラップ濃度の制御が鍵であり、特にトラップ濃度制御が難しい。
　n型GaN中の主要トラップはEc－0.58 eVのE3電子トラップとEv＋0.85のH1正孔トラップである。これらの主要トラップ低減の取り組みと、考慮すべき背反事象について概説する。