高温材料物理化学研究分野(福山研)の安達正芳助教が、11月12日に 浜松で開かれたThe 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)においてYoung Scientist Awardを受賞しました。

受賞題目：Effects of growth temperature and solution coposition on AlN layer grown by Ga-Al liquid phase epitaxy

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