発表のポイント
概要
持続可能な社会を実現するためには電力の変換効率を向上させることが喫緊の課題です。注目すべきその解決方法は、電力制御を担う高周波パワートランジスタの半導体材料を、従来の珪素から窒化ガリウム（GaN）に置き換えることです。しかし現状では、高性能GaNトランジスタの土台になりうる高品質なGaN単結晶基板の入手は非常に困難であるため、リーク電流が少なく信頼性が高いGaNトランジスタの作製は困難です。
東北大学多元物質科学研究所 秩父重英 教授らは、株式会社日本製鋼所、三菱ケミカル株式会社と協力し、反りがほとんど無い、大口径且つ高純度なGaN単結晶基板の量産を行える低圧酸性アモノサーマル法*5の開発に成功しました。
本成果は、科学雑誌Applied Physics Expressにて2020年4月17日にオンライン公開されました。
プレスリリース本文（PDF）
GaNを用いた縦型パワートランジスタの模式図
論文情報：
“Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave”
Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Ryu Osanai, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Tohru Ishiguro, and Shigefusa F. Chichibu
Applied Physics Express
DOI：10.35848/1882-0786/ab8722
関連リンク：
量子光エレクトロニクス研究分野（秩父研究室）
東北大学
