国立大学法人東北大学と株式会社日本製鋼所及び三菱ケミカル株式会社は、2013年度から「アモノサーマル法による高品質GaNバルク単結晶の作製技術開発」等のテーマで、共同研究を実施してきました。

　しかしながら、2021年11月19日付、株式会社日本製鋼所・三菱ケミカル株式会社によるプレスリリース「世界最大級のGaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認－超高効率デバイスの実現に貢献、2022年度から市場供給開始予定－」において、「酸性アモノサーマル技術（SCAAT™）」が三菱ケミカル株式会社独自の液相成長技術との記載があったことから、本学は東北大学および株式会社日本製鋼所の協力のもとに確立した技術であることを明示するよう、記事の訂正を申し入れておりました。

　このたび両社は、本学からの申し入れを受け入れ、下記のとおり当該プレスリリースから “三菱ケミカル独自の液相成長技術（Super Critical Acidic Ammonia Technology, 以下「SCAAT™」）” という文言を削除するとともに、GaNに関わるニュースアーカイブについても訂正を行いましたので、お知らせします。

▸2021年11月19日付、株式会社日本製鋼所・三菱ケミカル株式会社によるプレスリリース
「世界最大級のGaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認－超高効率デバイスの実現に貢献、2022年度から市場供給開始予定－」
▸2021年5月18日付、株式会社日本製鋼所・三菱ケミカル株式会社によるニュースリリース　
“世界最大級の窒化ガリウム（GaN）基板製造設備の竣工について”

　また、2021年11月19日付国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構ニュースリリース「世界最大級のGaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認― 超高効率デバイス実現への貢献を目指し、さらなる高品質化を継続 ―」にも同様の記載がありましたが、訂正がなされたことを確認しています。