7月26日水曜日に下記の内容でセミナーを行います。
分野・職位関係なく、学生さんも歓迎ですので、お気軽にご参加ください。

日時：2023/7/26（水）15:00～16:30
場所：多元研 西１号館２Fセミナー室

演題：GaNパワートランジスタの進展とMOS界面制御
講演者：名古屋大学特任教授・北海道大学名誉教授　橋詰 保 氏

概要：GaN高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、5G/6G移動体通信システムの高周波パワー増幅トランジスタとして、主力の座を担いつつある。また、次世代インバータ用の低損失電力スイッチングトランジスタの開発が加速され、一部は高効率ACアダプタとして市販されている。本セミナーでは、GaNトランジスタの更なる進展を紹介し、キーテクノロジーの１つであるMOS (Metal Oxide Semiconductor) 界面制御技術について概説する。