11月6日(火)に下記の内容でセミナーを行います。
皆様お誘い合わせの上、是非ご参加ください。
また学生さんにもお声掛け頂けると幸いです。

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日時：2018/11/6 (火)　14:30～15:30
場所：多元研西１号館２Fセミナー室

講演者：京都大学工学研究科　木本研究室博士課程　前田拓也 様

講演内容：
(1) ホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるShockley-Read-Hall寿命の評価
概要：空乏層がp層側に広がるGaN基板上GaN p-n+接合ダイオードを作製し，その電流-電圧(I-V)特性を測定したところ，非常に大きな再結合電流が得られた．
SRH統計に基づき，そのI-V特性を解析することで，p-GaNにおけるSRH寿命を求めることに成功した．
講演では，その評価手法や時間分解フォトルミネッセンス測定，陽電子消滅測定による評価結果との比較考察，SRH寿命の温度依存性について詳細に議論する．

(2) GaNのアバランシェ破壊特性の解明に向けた基礎研究
概要：素子端部の電界集中を緩和する構造としてベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードを作製し，絶縁破壊特性の評価を行ったところ，耐圧420 V, 破壊電界2.9 MV/cmを示した．
これは，これまで報告されているノンパンチスルー型GaNデバイスの中で最も高い破壊電界である．
講演では，ベベルメサ構造の設計や絶縁破壊特性，Franz-Keldysh効果を利用したアバランシェ増倍の測定について詳細に議論する．
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