東北大学 多元物質科学研究所 秩父研究室

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研究内容紹介

  • 窒化物・酸化物半導体量子・ナノ構造における光学遷移過程の解析
  • AlGaInN 系超薄膜のアンモニア分子線エピタキシー(NH3-MBE)成長と光物性
  • 酸化物半導体MgZnOのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー
  • 非極性GaN系量子構造の有機金属化学気相エピタキシー(MOVPE) 成長とデバイス化
  • Cu(Ga,In)Se2カルコパイライト型化合物半導体の成長と高効率薄膜太陽電池の光物性・試作

メンバーリスト

  • 秩父重英
  • 嶋紘平

論文リスト

  • 窒化物半導体 (Al,Ga,In)N に関する報告
  • II -VI族化合物半導体 (ZnO, ZnSe) に関する報告
  • ヘリコン波励起プラズマスパッタ法に関する報告
  • ワイドバンドギャップ銅カルコパイライト型化合物半導体 Cu(Al,Ga)(S,Se)2に関する報告
  • 次世代高効率太陽電池材料CIGS系 (CuInGaSe2) 半導体に関する報告
  • III -V族化合物半導体 (GaAs, InP) に関する報告
  • その他の材料 (Si, SiC, β-FeSi2, 金属酸化物等) に関する報告

イベント

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