秩父研及び共同研究機関からは計3件の発表を行いました。
講演番号 | 発表者 | タイトル | No.241 | 秩父 | Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy | No.229 | 秩父 | Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers | No.60 | 嶋 | Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells |
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関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。