秩父研及び共同研究機関からは計12件の発表を行いました。
講演番号 | 発表者 | タイトル |
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9p-W541-3 (シンポジウム依頼講演) |
秩父 | 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価 |
9p-S011-6 | 嶋 | 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積 |
11a-M121-4 | 秩父 | 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス |
11a-W541-1 | 小島 | 深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光 |
11a-W541-2 | 小島 | マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1) |
11a-W541-3 | 長澤(創光科学) | マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2) |
11a-W541-7 | 小島 | 自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光 |
11a-W541-8 | 浅井(産総研) | 自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式 |
11p-S011-13 | 嶋 | 水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用 |
11p-S622-8 | 高橋(静大) | 中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発 |
11p-PB3-16 | 高島(富士電機) | 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価 |
12a-W541-12 | 冨田(東北大) | 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に金属添加が与える影響 |
会場にて記念写真
関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。