2017/12/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会＠名古屋大学

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」において秩父教授が招待講演を行いました。

秩父研及び共同研究機関からは計1件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
3
(依頼講演)		 秩父 GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。

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最終更新日 2017/12/17 10:53:30