秩父研及び共同研究機関からは計9件の発表を行いました。
講演番号 | 発表者 | タイトル |
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19p-S011-8 | 秩父 | 時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価 |
20a-H121-1 | 小島 | 高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス |
20a-H121-2 | 小島 | 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定 |
20a-H121-3 | 秩父 | 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ) |
20p-P7-15 | 板原 (豊田中研) |
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性 |
20p-S222-10 | 秩父 | 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御 |
21p-H121-5 | 小島 | 90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針 |
21p-H121-8 | 南 (金沢工大) |
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較 | 22a-P6-6 | 中村 (静大) |
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討 |
関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。