2014/12/22 日経エレクトロニクス記事にてアモノサーマル法の研究成果掲載

日経エレクトロニクス記事にアモノサーマル法の研究成果が紹介されました

当研究室と三菱化学、日本製鋼所の共同開発による酸性アモノサーマル法によるGaN基板の結晶成長技術に注目が集まっていることが報じられました。 下記リンクに掲載記事の詳細が載っています。

日経エレクトロニクス 2014年12月22日号"パワー半導体4.0 【第２部】GaNパワー素子が離陸、次世代品はSiCの代替を視野"

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