2012/08/27-30 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)

秩父研及び共同研究機関からは1件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
We-2B.2 秩父(Oral) Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

秩父先生の発表の様子

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。