2012/07/16-19 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)

ロシア、サンクトペテルブルグにてISGN4が開催されました。
秩父研及び共同研究機関からは4件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
Th-1i 秩父(Invited-oral) Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
Mo-13p Qiao(東北大多元研)(Poster) Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4Br mineralizer
Mo-17p 横山(東北大多元研)(Poster) Ammonothermal growth of self-nucleated GaN seed crystals
Mo-51p 羽豆(Poster) Time-resolved photoluminescence studies on HVPE freestanding GaN substrates exhibiting record-long positron diffusion length

学会会場にて

秩父先生の座長の様子

羽豆さんの発表ポスター前で

秩父先生の発表の様子

帰りの飛行機までの時間を使って、エルミタージュ美術館へ行ってきました。開門前から行列です。。。

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いいたします。