2012/03/15-18 春季応用物理学会＠早稲田大学
秩父研及び共同研究機関からは10件の発表を行いました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
|---|---|---|
| 15p-F11-10 | 秩父 | フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価 |
| 16p-E4-2 | 羽豆 | 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー |
| 16p-F12-10 | 秩父 | 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価 |
| 16p-F12-11 | 羽豆 | Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価 |
| 16p-F12-12 | 石川 | 六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価 |
| 17a-E4-10 | 羽豆 | ルチルおよびアナターゼTiO2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価 |
| 17p-F12-11 | 秩父 | 高純度低転位密度GaN基板の評価(1) - HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価 - |
| 17p-F12-12 | 秩父 | 高純度低転位密度GaN基板の評価(2) - HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価 - |
| 17p-F12-13 | 石川 | 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2) - HVPE成長GaN基板 - |
| 18a-F12-1 | 冨田 (東北大多元研) |
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長 |
大隈重信像前で
大隈講堂も入れて
関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。