2010/07/04-07 The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides

秩父研からは2件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
Mo2-4 秩父(Oral) Ammonothermal growth of GaN using a gas-phase synthesized acidic mineralizer and homoepitaxy by metalorganic vapor phase epitaxy
Tu2-5 羽豆(Oral) Identification of cathodoluminescence peaks in m-plane AlxGa1-xN epilayers grown on freestanding GaN substrates prepared by halide vapor phase epitaxy

学会会場にて。

秩父先生の発表の様子

羽豆さんの発表の様子

関係者の皆様お疲れ様でした。今後ともよろしくお願いします。