2009/10/18-23 第8回窒化物半導体国際会議(ICNS8)@ICC JEJU

韓国チェジュ島でICNS-8が開催されました。
秩父研からは、口頭講演3、ポスター1件の発表がありました。

講演番号 発表者 タイトル
B4(Oral) 尾沼 Capability of the Bulk GaN Single Crystals Spontaneously Nucleated by the Na-Flux Method as a Homoepitaxial Substrate
Z6(Oral) 羽豆 Polarization Properties of m-Plane AlxGa1-xN Films Suffering from In-Plane Anisotropic Stress
ThP41(Poster) 羽豆 Spatially-Resolved Cathodoluminescence Study on m-Plane AlxGa1-xN Films Grown on m-Plane Free-Standing GaN Substrates
JJ3(Oral) 秩父 Time-Resolved Photoluminescence Studies on AlN Epilayers of Various Threading Dislocation Densities Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

発表のあとに

発表のあとに

みんなで記念撮影

チェジュ島の守り神

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