研究室についてAbout us
本研究分野では、GaNやZnOをはじめとする、ワイドバンドギャップ窒化物・酸化物半導体材料・デバイスの研究を推進している。超臨界アンモニアを用いたGaNバルク単結晶成長から、単結晶薄膜のエピタキシャル成長・量子井戸・ナノ構造・デバイス構造の形成を行うと共に、フェムト秒パルス光やフェムト秒パルス電子線を用いた時間空間分解分光法などによって、局所発光ダイナミクスの理解に関する研究を行っている。
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