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2013/09/16-20 秋季応用物理学会+JSAP-MRS Joint Symposia ＠同志社大学

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東北大学　多元物質科学研究所

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応用物理学会、及びJSAP-MRS Joint Symposiaでは秩父研及び共同研究機関からは計8件の発表を行いました。

応用物理学会プログラム

講演番号	発表者	タイトル
16a-B5-9	秩父	Mg添加(0001)面p型GaN上への(001)面Nb添加アナターゼのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長と電気伝導特性
19a-P3-18	川出 (東理大理工)	NiO薄膜と様々な半導体・金属とのバンドアライメントの検討
19p-B5-3	包	酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響
20a-B5-10	秩父	気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測
20a-B5-11	古澤	時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析

理科大の川出さんがポスター賞を受賞されました。おめでとうございます！

JSAP-MRS Joint Symposia プログラム

講演番号	発表者	タイトル
No.17a-M6-3 (Invited-oral)	冨田（横山研）	Effect of mineralizer species on the crystal growth of gallium nitride by the acidic ammonothermal method
No.17p-M4-5 (Invited-oral)	秩父	Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors
No.18p-M6-12 (oral)	古澤	Local carrier dynamics in and around the sub-surface stacking faults in GaN studied using spatio-time-resolved cathodoluminescence equipped with a front-excitation configuration femtosecond pulsed photoelectron gun

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。

last update : 2013/09/24