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秩父研授賞リスト |
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川出大佑,森山和眞,秩父重英,杉山睦 平成25年 第74回応用物理学会秋季講演会優秀ポスター賞 「NiO薄膜と様々な半導体・金属とのバンドアライメントの検討」 加賀谷宗仁,Pierre Corfdir,Jean-Daniel Ganiere,Benot Deveaud-Pledran,Nicolas Grandjean,秩父重英 平成22年 第10回多元研研究発表会ポスター賞 「時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN薄膜の局所キャリアダイナミクス解析」 加賀谷宗仁 平成22年度 丸文国際交流助成 International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010) Tampa, Florida, USA, Sep.19-24 (2010). M. Kagaya, P. Corfdir, J. -D. Ganiel, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, and S. F. Chichibu: "Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Studies on the m-plane InGaN Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy" 秩父重英 平成22年度文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門) 「インジウムを含む窒化物半導体混晶の光物性の研究 」 澤井泰,天池宏明,羽豆耕治,秩父重英 第27回(2009年秋季)応用物理学会講演奨励賞 「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長」 秩父重英 第41回市村学術賞功績賞 「Inを含む窒化物半導体混晶の光物性研究」 星拓也 平成20年度東北大学総長賞 工学研究科応用物理学専攻 修士論文 「アンモニアソースMBE成長(Al,Ga)Nの歪みと格子緩和が構造特性・発光特性に及ぼす影響」 羽豆耕治 第３回多元物質科学研究奨励賞 「非極性面III族窒化物半導体混晶AlGaN薄膜の異方性歪と偏光特性の解析」 秩父重英 第7回 (2008年) ドコモ・モバイル・サイエンス賞 基礎科学部門優秀賞 「非視認通信および表示・照明用III族窒化物半導体の物性研究」 星拓也 平成２０年度 丸文国際交流助成 International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008) Montreux, Switzerland, Oct.6-10 (2008). T. Hoshi, K. Oshita, M. Kagaya, K. Fujito, H. Namita, K. Hazu, T. Onuma, and S. F. Chichibu: "Ammonia source molecular beam epitaxy of m-plane AlxGa1-xN films exhibiting negligible deep emission bands on low defect density free-standing GaN substrates" 尾沼猛儀 平成２０年度 丸文国際交流助成 50th Electronic Materials Conference (EMC-50) University of California, Santa Barbara, California, USA, Jun.25-27 (2007). T.Onuma, K.Okamoto, H.Ohta, and S.F.Chichibu: "Optical gain in low dislocation density nonpolar m-plane InGaN/GaN MQW LD wafers" 天池宏明,澤井泰,羽豆耕治,尾沼猛儀,小山享宏,秩父重英 Paper Award The 5th International Workshop on ZnO and Related Materials Ann Arbor Ypsilanti at Eagle Crest, Michigan, USA, Sept. 22-24 (2008). H. Amaike, Y. Sawai, K. Hazu, T. Onuma, T. Koyama, and S. F. Chichibu: "Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO on GaN templates and bulk ZnO substrates" Kuniyoshi Okamoto, Hiroaki Ohta, Shigefusa F. Chichibu, Jun Ichihara, and Hidemi Takasu 2008年度 応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」 論文名：Continuous-Wave Operation of m-Plane InGaN Multiple Quantum Well Laser Diodes 掲載誌：Jpnese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 9, 2007, pp. L187-L189 丁聖勳 平成１９年度 丸文交流研究助成 「非極性面AlInN量子井戸を用いた深紫外線発光ダイオードの設計と有機金属化学気相成長」 尾沼猛儀 第２回多元物質科学研究奨励賞 「非極性ｍ面窒化物半導体青色発光ダイオードの発光メカニズムの解明」 アリィ ナビエ フォウダ 平成１８年度 丸文交流研究助成 「HWPS法による多機能酸化膜の設計と製作」 塚崎敦 2005年度 応用物理学会論文賞「JJAP論文奨励賞」 論文名：Blue Light-Emitting Diode Based on ZnO 掲載誌：Jpn. J. Appl. Phys. Vol.44,No.21,2005,pp.L643-L645 著 者：Atsushi Tsukazaki, Masashi Kubota, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Keita Ohtani, Hideo Ohno, Shigefusa F. Chichibu and Masashi Kawasaki 小山享宏 Young Scientist Paper Award 31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31), Kailua-Kona,Hawaii, USA, Jan.17-24 (2004). T. Koyama and S. F. Chichibu: "Effects of lattice-mismatch and surface arrangement on the epilayer qualities of ZnO grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy" 尾沼猛儀 平成１３年度 筑波大学大学院優秀論文表彰 「Ⅲ族窒化物半導体薄膜における励起子ダイナミクスの研究」 尾沼猛儀 平成１４年度 日本科学協会 笹川科学研究助成金 「窒化物半導体量子構造におけるキャリアダイナミクスの研究とそのデバイス応用」 尾沼猛儀 秩父重英 AOARD/AFOSR Windows-On-Science program Student Travel Award Materials Research Society, 2001 Fall Meeting Boston, MA, USA, Nov.26-Nov.30, (2001). T.Onuma, S.F.Chichibu, T.Sota, K.Asai, S.Sumiya, T.Shibata, and M. Tanaka: "Exciton Spectra of AlN Epitaxial Films" 秩父重英 第７回 丸文研究奨励賞 （平成１５年度） 「III族窒化物半導体の励起子構造および量子構造発光素子における局在励起子発光過程の解明」 秩父重英 平成９年度 矢崎学術賞奨励賞 「新機能性CuInSe2のエピタキシャル成長と高効率太陽電池への応用」 秩父重英,小豆畑敬,宗田孝之,中村修二 第１回 応用物理学会講演奨励賞 （平成８年秋季） 「InGaNの光学的特性(1)」 秩父重英 平成８年 日本ＭＲＳシンポジウム シンポジウムＲ 奨励賞 「Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuAlxGa1-xSe2alloys」 秩父重英 第８回 安藤博記念学術奨励賞 （平成6年度） 「銅カルコパイライト化合物半導体のエピタキシャル成長と発光・受光素子化検討」 秩父重英,内田盟,原田佳幸,須藤亮,脇山俊士,松本智 平成５年 電気学会電子・情報・システム部門大会優秀論文発表賞 「減圧ＭＯＶＰＥ法によるカルコパイライト型半導体CuAlSe2の成長」 |
