講演番号 |
発表者 |
タイトル |
12a-PB4-23 |
島田 (関東学院大工) |
GaNと格子整合するScxAlyGa1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算 |
12p-H8-10 |
加山 (東理大理工) |
ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS2薄膜の硫化過程の検討 |
12p-H10-14 |
羽豆 |
ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定 |
12p-H10-21 |
古澤 |
表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価 |
12p-H10-22 |
秩父 |
m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響- |
12p-H10-23 |
石川 |
六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価 |
13a-H8-15 |
庄司 (東理大理工)
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有機原料を用いたCuIn(S,Se)2薄膜の成長過程解析 |
14p-C13-1 |
川出 (東理大理工) |
可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜のキャリア密度の制御 |