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2012/07/16-19 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)

 

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ロシア、サンクトペテルブルグにてISGN4が開催されました。
秩父研及び共同研究機関からは4件の発表を行いました。

プログラム            
講演番号 発表者 タイトル
Th-1i 秩父(Invited-oral) Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
Mo-13p
Qiao(東北大多元研)(Poster) Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4Br mineralizer
Mo-17p
横山(東北大多元研)(Poster) Ammonothermal growth of self-nucleated GaN seed crystals
Mo-51p
羽豆(Poster) Time-resolved photoluminescence studies on HVPE freestanding GaN substrates exhibiting record-long positron diffusion length







学会会場にて
秩父先生の座長の様子
羽豆さんの発表ポスター前で
秩父先生の発表の様子
帰りの飛行機までの時間を使って、エルミタージュ美術館へ行ってきました。開門前から行列です。。。


日頃から私達を支えてくださっている関係者の皆様、本当にありがとうございます。 今後とも宜しくお願い申し上げます。

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last update : 2012/07/30