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2012/04/27 第4回窒化物半導体結晶成長講演会（プレIWN 2012）
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第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN２０１２)
が東京大学生産技術研究所で開催されました。秩父研からは1件発表を行いました。
プログラム
講演番号
発表者
タイトル
FR-16
秩父
GaN上へのTiO2結晶相選択エピタキシャル成長と電気伝導特性
キャンパスの入り口にて
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last update : 2012/04/29
