講演番号 |
発表者 |
タイトル |
15p-F11-10 |
秩父 |
フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価 |
16p-E4-2 |
羽豆 |
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー |
16p-F12-10 |
秩父 |
高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価 |
16p-F12-11 |
羽豆 |
Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価 |
16p-F12-12 |
石川 |
六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価 |
17a-E4-10 |
羽豆 |
ルチルおよびアナターゼTiO2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価 |
17p-F12-11 |
秩父 |
高純度低転位密度GaN基板の評価(1) - HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価 - |
17p-F12-12 |
秩父 |
高純度低転位密度GaN基板の評価(2) - HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価 - |
17p-F12-13 |
石川 |
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2) - HVPE成長GaN基板 - |
18a-F12-1 |
冨田 (東北大多元研)
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酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長 |