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2011/07/10-15 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)

 

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イギリスグラスゴーにてICNS-9が開催されました。

プログラム                        
講演番号 発表者 タイトル
A2.5 石川(Oral) Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on a freestanding GaN substrate grown by halide vapor phase epitaxy
A3.2
秩父(Oral) Ammonothermal growth of low oxygen concentration GaN using a dry acidic mineralizer and fabrication of an Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure
PA1.11
松本(三菱化学・東北大)(Poster) Annealing effects of thick-GaN crystals
E3.4
秩父(Oral) Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
B9.4
羽豆(Oral) Crystal phase-selective epitaxy of rutile and anatase Nb-doped TiO2 films on a GaN template by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy


学会会場にて


関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。


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last update : 2011/08/02