| 講演番号 |
発表者 |
タイトル |
| 17a-TB-3 |
鏡谷（東北大多元研・WPI） |
アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響 |
| 17p-TL-1 |
澤井（講演奨励賞受賞記念講演） |
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長 |
| 17p-TL-2 |
秩父 |
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成 |
| 17p-TB-4 |
秩父 |
自立GaN基板へのm面Al1-xInxN薄膜のMOVPE成長 |
| 18a-TQ-6 |
羽豆 |
TiO2:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー |
| 18a-TQ-7 |
アリィ |
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO2薄膜の堆積(2) |
| 18p-TA-6 |
秩父 |
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1)
-パルス電子線発生とGaN計測- |
| 18p-TA-7 |
尾沼 |
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2)
-MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較- |
| 18p-TA-8 |
秩父 |
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3)
-MOVPE成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測- |
| 18p-TA-9 |
加賀谷 |
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(4)
-MOVPE成長m面InGaN薄膜の時空間同時分解計測- |
