講演番号 | 発表者 | タイトル |
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H4 | 秩父 (Oral) | Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth |
AA1 | 秩父 (Oral) | Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing substrates |
BB2 | 尾沼 (Oral) | Optical gain in low dislocation density nonpolar m-plane InGaN/GaN MQW LD wafers |
会場は、カリフォルニア州 サンタバーバラでした。写真は大学近くの海岸
学会会場
バンケット会場にて
日頃より秩父研を支えて下さっている方々に感謝申し上げます。今後ともよろしくお願いします。