2007/09/16-21 第7回窒化物半導体国際会議 (ICNS-7)

アメリカ ネバダ州ラスベガスでICNS-7が開催されました。秩父研および共同研究機関からは、招待講演3件、口頭発表3件、ポスター1件の発表がありました。

講演番号 発表者 タイトル
I4 尾沼 (Oral) Observation of well-resolved bound, free, and higher order excitons in AlN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
MP18 小山 (Poster) Correlation between the violet luminescence intensity and defect density in AlN epilayers grown by NH3 source molecular beam epitaxy
U1 尾沼 (Oral) Quantum-confined Stark effects in nonpolar m-plane InxGa1-xN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes fabricated on low defect density free-standing substrates
W1 秩父 (Oral) Homoepitaxial growth of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films by metalorganic vapor phase using low defect density free-standing substrates
CC1 岡本 (ローム) (Invited-oral) Progress of nonpolar m-plane InGaN/GaN laser diodes
FF1 Jun (Yale Univ.) (Invited-oral) III-Nitride Nanowires and Networks: Growth, Heterostructures, Epitaxial Alignment, and Applications
GG1 秩父 (Invited-oral) Origin of defect-insensitive emission probability in (Al,In,Ga)N alloy films containing In

尾沼先生の発表の様子

秩父先生の発表の様子

ランプセッション「IQE and Light Extraction: from UV to IR」の様子
秩父先生と川上先生(京大)が司会をなさっています。

学会の合間にラスベガスの街を散策しました。
街には、世界各所の有名な建物を真似たものがたくさんありました。

左はエッフェル棟です

ベラージオの噴水

ストラスフィアタワーの上から。この後、ラスベガスのエンターテイメントを楽しんだ人もいるそうです。

お疲れさまでした。