発表日 | 発表者 | タイトル |
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3/28 | 星 | NH3-MBE法によりGaNテンプレート上に成長したAlN薄膜の陰極線蛍光特性 |
3/28 | 小山 | AlN薄膜におけるVL発光強度と欠陥密度の相関性 |
3/28 | 尾沼 | MOVPE成長AlN薄膜の発光特性 |
3/28 | 池田(早大) | AlN価電子帯オーダリングの歪依存性 |
3/29 | 呂 | 自立GaN基板上への非極性m面GaN及びInGaN薄膜のMOVPE成長 |
3/29 | 深山(東理大) | 有機金属を用いたCuInSe2薄膜への亜鉛添加 |
3/29 | 安庭(東理大) | ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se2薄膜成長(III) |
3/29 | 秩父 | シンポジウム「酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望」 酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係 |
3/29 | 中原(ローム) | シンポジウム「酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望」 分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモエピタキシー技術 |
3/30 | 天池 | 低転位非極性m面InxGa1-xN/GaN 多重量子井戸LEDの光学的特性 |
3/30 | 政木(東理大) | ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長 |
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