発表日 | 発表者 | タイトル |
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8/30 | 尾沼 | MOVPE成長Mg添加p型半極性面(10-1-1)GaNのフォトルミネセンス評価 |
8/30 | 小山 | NH3-MBE成長AlN薄膜の成長温度およびV/III比が光学的特性に与える影響 |
8/30 | 秩父 | Inを含むIII族窒化物半導体混晶における局在励起子について |
8/30 | 久保田 | ニオブ添加酸化チタン薄膜の抵抗率に対する熱処理効果 |
8/31 | 秩父 | 結晶工学分科会企画シンポジウム 「窒化物半導体を用いた短波長発光デバイス 非極性面GaN系量子井戸構造およびLEDの光学的特性 |
みなさまおつかれさまでした。