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2010/07/04-07 The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides

 

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秩父研からは2件の発表を行いました。

プログラム
講演番号 発表者 タイトル
Mo2-4 秩父(Oral) Ammonothermal growth of GaN using a gas-phase synthesized acidic mineralizer and homoepitaxy by metalorganic vapor phase epitaxy
Tu2-5
羽豆(Oral) Identification of cathodoluminescence peaks in m-plane AlxGa1-xN epilayers grown on freestanding GaN substrates prepared by halide vapor phase epitaxy

学会会場にて。
秩父先生の発 表の様子
羽豆さんの発 表の様子

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。


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last update : 2010/07/13