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2009/10/18-23 第8回窒化物半導体国際会議(ICNS8)@ICC JEJU

 

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韓国チェジュ島でICNS-8が開催されました。秩父研からは、口頭講演3、ポスター1件の発表がありました。

プログラム
講演番号 発表者 タイトル
B4(Oral) 尾沼 Capability of the Bulk GaN Single Crystals Spontaneously Nucleated by the Na-Flux Method as a Homoepitaxial Substrate
Z6(Oral) 羽豆 Polarization Properties of m-Plane AlxGa1-xN Films Suffering from In-Plane Anisotropic Stress
ThP41(Poster) 羽豆 Spatially-Resolved Cathodoluminescence Study on m-Plane AlxGa1-xN Films Grown on m-Plane Free-Standing GaN Substrates
JJ3(Oral) 秩父 Time-Resolved Photoluminescence Studies on AlN Epilayers of Various Threading Dislocation Densities Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy


発表のあとに
発表のあとに
みんなで記念撮影
チェジュ島の守り神
日頃から私達を支えてくださっている関係者の皆様、本当にありがとうございます。
今後とも宜しくお願い申し上げます。

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last update : 2009/10/26