| 講演番号 |
発表者 |
タイトル |
| 2a-CA-3 |
羽豆 |
酸性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の陰極線蛍光特性 |
| 2a-CA-5 |
尾沼 |
Naフラックス法により成長したGaN単結晶の発光特性 |
| 2p-T-6 |
佐藤（東京理科大・東北大） |
Cu(Al,In,Ga)Se2薄膜に適したフレキシブル基板の検討 |
| 2p-T-7 |
藤原（東京理科大・東北大） |
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se2薄膜成長(II) |
3a-CA-2
(JJAP論文賞) |
岡本（ローム・東北大） |
Continuous-Wave Operation of mPlane InGaN Multiple Quantum Well Laser Diodes |
| 3a-CA-6 |
星 |
m面自立GaN基板上へのAlxGa1-xN薄膜のNH3ソースMBE成長 |
| 3a-CA-7 |
羽豆 |
m面自立GaN基板上に成長したAlxGa1-xN薄膜の偏光・空間分解陰極線蛍光特性 |
| 3p-N-9 |
赤坂（ローム・東北大） |
Zn極性MgZnO/ZnOヘテロ接合の分子線エピタキシーとキャラクタリゼーション |
| 4a-N-7 |
天池 |
GaNテンプレート及びバルクZnO基板上へのZnOのHWPSE成長 |
| 5p-J-7 |
村田（東京理科大・東北大） |
p-NiO/n-ZnOによるp-n接合ダイオードの試作 |
