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窒化物半導体の結晶成長に関連した国際会議です。2006年にスウェーデンのLinkopingにて第一回目が開催され、今回は第２回目として静岡県、伊豆市にて開催されました。
秩父研からは、２件の発表を行いました。
プログラム
| 講演番号 |
発表者 |
タイトル |
| Tu-9 |
秩父
(Oral+poster) |
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films
grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing
substrates |
| Tu-55 |
秩父
(Oral+poster) |
Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local
cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth |
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ポスター発表の様子
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実行委員長の東京農工大学の纐纈先生 |
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第一回目実行委員長のMonemar先生 |
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バンケットにて |
今後ともよろしくお願いします。
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