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2008/4/27-5/2 International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2008 (ISSLED2008)

 

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会場は、アリゾナ州 フェニックス でした。
秩父研および共同研究機関からは、招待講演3件の発表がありました。

プログラム
講演番号 発表者 タイトル
G1 秩父
(Invited-oral)
Built-in and external bias-induced quantum-confined Stark effects in a nonpolar m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well light-emitting diode
L1 尾沼
(Invited-oral)
Exciton fine structures in AlN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
M1 高水(ローム・
東北大)
(Invited-oral)
Direct correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime in undoped ZnO epilayers grown on Zn-polar ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy


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last update : 2008/6/11