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平成19年度金研ワークショップ「酸化亜鉛半導体テクノロジーの進歩」が開催されました。主催者は、秩父教授および原子分子材料科学高等研究機構・金研の川崎教授です。場所は、多元研科研棟Ｓ棟で行われました。
ZnO半導体研究分野をリードする、日本国内の研究者の方々にお集まり頂き、１６件の招待講演、１８件のポスター発表が行われ、熱心な議論が展開されました。
秩父研および共同研究機関からは、1件の招待講演および、６件のポスターの発表がありました。
この場をお借りし、本ワークショップ開催にあたり協力頂いた全ての方々に深く感謝申し上げます。
本研究会は、東北大学金研重点共同研究「空間・次元・電子状態制御による酸化亜鉛半導体の新機能創生」（課題番号50）により主催されました。
プログラム
| 講演番号 |
発表者 |
タイトル |
| A5 |
高水大樹
(ローム・東北大)
(Poster) |
MBE成長ZnOのTRPL |
| A6 |
田村謙太郎
(ローム・東北大)
(Poster) |
MBE成長MgZnOのTRPL |
| A14 |
小山享宏
(Poster) |
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーにおける高温熱処理自己緩衝層挿入効果 |
| A15 |
尾沼猛儀
(Poster) |
非極性m 面InGaN 量子井戸LED の光学特性
-酸化亜鉛の相手を知るべく- |
| A16 |
杉山睦（東京理科大・東北大）
(Poster) |
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長 |
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中原健
(ローム・東北大)
(Invited-oral) |
プラズマ支援型分子線エピタキシー法(PAMBE)によるZn極性面ZnO 基板上ヘテロ構造 |
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出席者一同での記念写真
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