本ホームページは、Netscape (c) ver.
7.0-7.1でのブラウズに対し最適化されております。Internet
Explorer (c) をご利用の方は、「文字のサイズ」を “小” に設定して下さい。
|
|
秩父研および共同研究機関からは、シンポジウム1件、一般講演3件の発表がありました。
プログラム
講演番号 |
発表者 |
タイトル |
5p-ZR-6
(シンポジウム) |
上殿(筑波大、東北大) |
陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出 |
6a-ZT-3 |
今尾(東京理科大・東北大) |
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO2薄膜成長 |
7p-L-4 |
梅澤(東京理科大・東北大) |
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se2薄膜成長 |
7p-ZS-3 |
秩父 |
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係 |
日頃から私達を支えてくださっている関係者の皆様、本当にありがとうございました。 今後とも宜しくお願い申し上げます。
もどる
|