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秋の応用物理学会で、当研究室メンバーからは5件の発表がありました。
プログラム
| 発表日 |
発表者 |
タイトル |
8/30
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尾沼
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MOVPE成長Mg添加p型半極性面(10-1-1)GaNのフォトルミネセンス評価 |
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8/30
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小山
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NH3-MBE成長AlN薄膜の成長温度およびＶ/III比が光学的特性に与える影響 |
8/30
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秩父
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Inを含むIII族窒化物半導体混晶における局在励起子について |
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8/30
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久保田
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ニオブ添加酸化チタン薄膜の抵抗率に対する熱処理効果 |
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8/31
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秩父
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結晶工学分科会企画シンポジウム
「窒化物半導体を用いた短波長発光デバイス
非極性面GaN系量子井戸構造およびLEDの光学的特性 |
みなさまおつかれさまでした^^。
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