| 発表日 |
発表者 |
タイトル |
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3/29
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秩父
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シンポジウム
カ
ルコパイライト型半導体の発光デバイス材料としての特徴
-n型ZnO/p型CuGaS2接合LEDを例として- |
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3/29
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深谷
(東理大)
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ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se2薄膜成長 |
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3/30
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秩父
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レー
ザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(I) |
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3/30
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久保田
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レー
ザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(II) |
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3/30
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菅原
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NH3ガ
スソースMBE法によるGaNテンプレート上へのAlN成長 |
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3/31
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鈴木
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MOVPE
成長3C-SiC基板上立法晶GaNのフォトルミネッセンススペクトルのV/III依存性 |
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3/31
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大森
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ZnOの励起子共鳴波長で動作する誘電体DBRの試作と
HWPSE法によるSiO2およびZrO2製膜 |
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3/31
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尾沼
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LEO
-GaN上無極性(11-20)InxGa1-xN量子井戸における発光ダイナミクス |
