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イギリスグラスゴーにてICNS-9が開催されました。
プログラム
講演番号 |
発表者 |
タイトル |
A2.5 |
石川(Oral) |
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on a freestanding GaN substrate grown by halide vapor phase epitaxy |
A3.2
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秩父(Oral) |
Ammonothermal growth of low oxygen concentration GaN using a dry acidic mineralizer and fabrication of an Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure |
PA1.11
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松本(三菱化学・東北大)(Poster) |
Annealing effects of thick-GaN crystals |
E3.4
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秩父(Oral) |
Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys |
B9.4
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羽豆(Oral) |
Crystal phase-selective epitaxy of rutile and anatase Nb-doped TiO2 films on a GaN template by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy |
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学会会場にて
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関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。
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