卒業生関係

◆卒業論文・修士論文等◆
(秩父研究室設立後）
=====1999年度=====
［修士論文］（東京理科大学大学院理工学研究科電気工学専攻）
●杉 山　睦　　　　カルコパイライト型化合物半導体のバンド不連続量の見積もり
=====2000年度=====
［修士論文］（東京理科大学大学院理工学研究科電気工学専攻）
●瀬戸口晶子　 極性制御GaN薄膜の光学的特性
●仲井陸郎      無添加GaN薄膜への電極形成技術検討と接合評価
●早川明憲　　  CuInSe2系太陽電池の各機能層の作成及び検討
●吉田丈洋      ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO/sapphire(0001)エピタキシャル成長
［学士論文］（筑波大学第三学群基礎工学類）
●保立倫則      へリコン波励起プラズマスパッタ法を用いた ZnO 薄膜エピタキシャル成長
●山本貴史      立方晶 InGaN 量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス
●渡辺一史     　MOVPE成長AlNエピタキシャル薄膜のバンド端近傍の光学的特性
=====2001年度=====
［学士論文］（筑波大学第三学群基礎工学類）
●萩原　勝     　ZnOエピタキシャル薄膜のHWPSE成長における基板表面処理効果
=====2002年度=====
［修士論文］（筑波大学大学院数理物質科学研究科および理工学研究科）
●寺崎誠也      NH3-MBE法によるsapphire基板上GaN薄膜の成長
●保立倫則      MOCVD成長GaNエピタキシャル層のSi添加による電気特性の改善
●山本貴史      有機Se原料を用いたCuInSe2薄膜のセレン化成長および太陽電池セルの作製
［学士論文］（筑波大学第三学群工学基礎学類）
●内沼善将      MOVPE法により成長したGaN上Al1-xInxN薄膜における励起子局在効果
●白濱丈詞      HWPSE法によるA面サファイア基板上への酸化亜鉛薄膜の成長
●野坂大樹      立方晶GaNのMOVPE成長における低温バッファ層が光学的・構造的特性に与える影響
=====2003年度=====
［博士学位論文］（筑波大学大学院工学研究科物質工学専攻）
●尾沼猛儀      III族窒化物半導体薄膜における励起子ダイナミクスの研究　（筑波大学大学院優秀論文表彰）
●杉 山　睦　　　立方晶GaNのMOVPE成長における格子不整合緩衝層の検討
［学士論文］（筑波大学第三学群工学基礎学類）
●柴田直之　　　ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法によるMgZnO混晶薄膜の成長
●鈴木智士　　　AlGaN/GaN超格子層挿入によるMOVPE成長立方晶GaN薄膜の特性改善
●菊地純一　　　フラックス変調NH3ソースMBE法によるGaNホモエピタキシャル薄膜の平坦化
［留学・研究生］
●王　冠儒      NH3-MBE法によるGaN薄膜の成長
●徐　　 云      NH3-MBE法によるGaN薄膜の成長
=====2004年度=====
［博士学位論文］（筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻）
●小 山享宏      ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構
［修士論文］（筑波大学大学院理工学研究科物理工学分野）
●内沼善将　　 アンモニアソースMBE法を用いたGaNのホモエピタキシャル成長における表面平坦化
●大森拓也　 　HWPS法による酸化物半導体・誘電体薄膜形成と光エレクトロニクスへの応用
●野坂大樹　　 立方晶GaNのMOVPE成長における格子不整合緩衝層の挿入効果
［学士論文］（筑波大学第三学群工学基礎学類）
●久保田将司　高温アニールバッファ上にレーザMBE成長したZnOの励起子ダイナミクス
●菅原茉莉子　NH3ガスソースMBE法によるGaNテンプレート上へのAlN成長
●山口宏　　　　MOVPE法による3C-SiC基板上への立方晶GaN成長と六方晶混入率の評価
=====2005年度=====
［修士論文］（数理物質科学研究科電子・物理工学専攻）
●柴田直之      ZnOエピタキシャル層のHWPSE成長における高温熱処理自己緩衝層の挿入効果
●鈴木智士      MOVPE法を用いた準安定相GaN結晶成長における界面制御
［留学・研究生］
●Phillip Green Optical characterization of GaN epitaxial films
=====2006年度=====
［修士論文］（筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻）
●久保田将司  高温熱処理自己緩衝層上に成長した(Mg,Zn)O薄膜の再結合ダイナミクス
●菅原茉莉子  NH3ソースMBE法によるAlN成長におけるヘテロエピタキシャル歪みの低減
●山口宏         MOVPE法による低積層欠陥密度m面(In,Ga)N薄膜成長
［学士論文］（筑波大学第三学群工学基礎学類）
●星 拓也　　　  NH3ソースMBE法によるAlNのヘテロエピタキシャル成長
●呂釗　　　　　 MOVPE法による非極性m面GaN薄膜のホモエピタキシャル成長
●天 池宏明　　低転位非極性m面InxGa1-xN/GaN多重量子井戸LEDの光学的特性
=====2007年度=====
［博士学位論文］（東北大学大学院工学研究科応用物理学科専攻）
●朴　 志晧　　半導体二重量子井戸におけるスピン偏極励起子トランスファーのダイナミクスに関する研究
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科応用物理学科専攻）
●斉藤一矢　　希薄磁性半導体量子井戸におけるキャリア スピン緩和の磁場中ポンププローブ分光による研究
●古田稔明　　半導体自己組織化量子ドットにおけるスピ ン注入ダイナミクス
［卒業研修］（東北大学工学部応用物理学科）
●大下紘史　　非極性m面窒化物半導体のNH3ソースMBE成長
=====2008年度=====
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻）
●天池宏明　　酸化亜鉛系半導体のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーと励起子ポラリトンに関する基礎研究
●押野成人　　CdSe量子ドットと希薄磁性半導体の積層構造におけるスピンダイナミクス
●星　拓也　 　アンモニアソースMBE成長(Al,Ga)Nの歪みと格子緩和が構造特性・発光特性に及ぼす影響　（東北大学総長賞受賞）
=====2009年度=====
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻）
●澤井　泰　　ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZnO/MgZnOヘテロ構造の形成　（第27回応用物理学会講演奨励賞受賞）
=====2010年度=====
［博士学位論文］（東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻）
●フォウダアリィ　　ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるニオブ添加二酸化チタン薄膜堆積における構造制御
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻）
●加賀谷宗仁　　非極性面(Al, In, Ga)Nの薄膜成長とキャリアダイナミクス 　（東北大学総長賞受賞）
=====2011年度=====
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻）
●張　成燻　ウルツ鉱型MgxZn1-xO系分布ブラッグ反射鏡の設計とヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによる形成
=====2012年度=====
［卒業研修］（東北大学工学部情報知能システム総合学科ナノサイエンスコース）
●山岸正裕　MOVPE法によるAlGaN/GaNヘテロ構造形成と電気伝導特性
=====2013年度=====
［修士論文］（東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻）
●小山雅史 ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物光共振器の形成
［卒業研修］（東北大学工学部情報知能システム総合学科ナノサイエンスコース）
●柿畑研人 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ (R-HWPS)法による誘電体多層膜分布ブラッグ反射鏡(DBR)の形成
●中沢駿仁 ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法によるZnO単結晶薄膜の成長と評価

◆就職先など◆
(個人情報のため、誰が何処に・・は内緒。卒業生で自分のHPにリンクをかけて欲しい人はこちらまで）
NECエレクトロニクス　NTT　京セラ　サンケン電気　シャープ　ソニー　全日空　東京エレクトロン　東芝　トヨタ自動車　浜松フォトニクス　パナソニック電工　日立ディスプレイズ　日立電線　富士通　三菱電機　ユニシステム　リコー　ローム　LGエレクトロニクス
 科学技術振興機構  東京理科大学  東京工業高等専門学校
 国立清華大(台灣)  中国科学院(中国)  スエズ運河大学(埃及)
 
◆写真とか◆  2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007-1 2007-2 2008 2009 2010 2011-1 2011-2 2012 2013 2014


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  Last update 9/27/2014