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光・電子デバイス材料研究分野の最先端の講演が集約された会議です。毎年、Device Research Conference (DRC)に引き続いて開催されており、デバイス研究と密接に関連づけられています。1959年にボストン大学で第1回目が開催されて以来、東米、中米、西米と場所を変えながら毎年開催されており、今年はちょうど50回目となる記念すべき会議でした。
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会場は、カリフォルニア州 サンタバーバラ でした。
写真は大学近くの海岸
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学会会場 |
秩父研からは、口頭発表３件を行いました。
プログラム
| 講演番号 |
発表者 |
タイトル |
| H4 |
秩父
(Oral) |
Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local
cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth |
| AA1 |
秩父
(Oral) |
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films
grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing
substrates |
| BB2 |
尾沼
(Oral) |
Optical gain in low dislocation density nonpolar m-plane InGaN/GaN MQW LD wafers |
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バンケット会場にて |
日頃より秩父研を支えて下さっている方々に感謝申し上げます。
今後ともよろしくお願いします。
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