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春の応用物理学会で、当研究室メンバーからは６件、合計１１件の発表がありました。
プログラム
| 発表日 |
発表者 |
タイトル |
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3/28
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星
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NH3-MBE法によりGaNテンプレート
上に成長したAlN薄膜の陰極線蛍光特性 |
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3/28
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小山
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AlN薄膜におけるVL発光強度と欠陥密度の相関性 |
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3/28
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尾沼
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MOVPE成長AlN薄膜の発光特性 |
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3/28
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池田
（早大）
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AlN価電子帯オーダリングの歪依存性 |
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3/29
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呂
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自立GaN基板上への非極性m面GaN及びInGaN薄膜のMOVPE成長 |
3/29
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深山
(東理大)
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有機
金属を用いたCuInSe2薄膜への亜鉛添加 |
3/29
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安庭
(東理大)
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ジエ
チルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se2薄膜成長(III) |
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3/29
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秩父
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シンポジウム「酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望」
酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係 |
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3/29
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中原
（ローム）
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シンポジウム「酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望」
分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモ
エピタキシー技術
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3/30
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天池
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低転位非極性m面InxGa1-xN/GaN
多重量子井戸LEDの光学的特性 |
3/30
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政木
(東理大)
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ヘリ
コン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長 |
日頃から私達を支えてくださっている関係者の皆様、本当にありがとうございました。
おつかれさまです！
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