2017/12/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会＠名古屋大学
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」において秩父教授が招待講演を行いました。
秩父研及び共同研究機関からは計1件の発表を行いました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
|---|---|---|
| 3 (依頼講演) |
秩父 | GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心 |
関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。
秩父研及び共同研究機関からは計1件の発表を行いました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
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| 3 (依頼講演) |
秩父 | GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心 |
関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。