2010/03/17-20 春期応用物理学会＠東海大学
秩父研および共同研究機関からは、１０件の発表がありました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
|---|---|---|
| 17a-TB-3 | 鏡谷（東北大多元研・WPI） | アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響 |
| 17p-TL-1 | 澤井（講演奨励賞受賞記念講演） | ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長 |
| 17p-TL-2 | 秩父 | ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成 |
| 17p-TB-4 | 秩父 | 自立GaN基板へのm面Al1-xInxN薄膜のMOVPE成長 |
| 18a-TQ-6 | 羽豆 | TiO2:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー |
| 18a-TQ-7 | アリィ | ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO2薄膜の堆積(2) |
| 18p-TA-6 | 秩父 | パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1) -パルス電子線発生とGaN計測- |
| 18p-TA-7 | 尾沼 | パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2) -MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較- |
| 18p-TA-8 | 秩父 | パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3) -MOVPE成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測- |
| 18p-TA-9 | 加賀谷 | パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(4) -MOVPE成長m面InGaN薄膜の時空間同時分解計測- |
澤井君講演奨励賞受賞おめでとうございます。
みんなで記念撮影
日頃から私達を支えてくださっている関係者の皆様、本当にありがとうございます。今後とも宜しくお願い申し上げます。