【2012.1.12-13】窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会

主催：	東北大学多元物質科学研究所
日時：	平成２４年１月１２日（木）～１３日（金）
会場：	東北大学　片平さくらホール

講演内容
１月１２日（木）
13:00		開会の挨拶
		東北大学多元物質科学研究所　所長　河村純一
13:10- 14:00		InNおよびInGaN成長の最近の進展 ― DERI法の結果が示唆すること―
		名西やすし（立命館大学）
14:00- 14:35		GaN結晶基板の結晶成長技術
		福田承生（東北大学）
14:35- 15:10		メカノケミカル法によるGaN前駆体の合成とそこから派生したITOの直接還元によるIn回収
		加納純也、張其武、齋藤文良（東北大学）
		休憩

15:30- 16:05		材料開発技術がもたらすLED照明の高品質化
		折戸文夫（三菱化学）
16:05- 16:40		アモノサーマル法におけるオートクレーブ内熱流体解析
		増田善雄（産業技術総合研究所）
16:40-17:15		還元窒化法および簡易合成法による白色LED照明用窒化物系蛍光体の合成
		末廣隆之（東北大学）
17:30		交流会

１月１３日（金）
9:00		三菱化学の産学連携
		池浦富久（三菱化学）
9:10- 9:35		窒化ガリウム基板の低コスト化、量産化への取組み
		藤森俊成（三菱化学）
9:35-10:10		ナトリウムを利用した無機材料合成法の新展開
		山根久典（東北大学）
10:10-10:45		サファイア窒化法の熱力学と窒化機構およびその展開 ―高品質窒化アルミニウム膜の作製を目指して―
		福山博之（東北大学）
		休憩

11:00-11:35		アモノサーマル法における鉱化剤の役割
		横山千昭（東北大学）
11:35-12:10		アモノサーマルGaN結晶育成技術と関与要因
		石黒徹（東北大学）
12:10-12:45		ワイドバンドギャップ窒化物半導体の時間分解分光評価
		秩父重英（東北大学）
12:45		閉会の挨拶
		山根久典（東北大学）

参加ご希望の方は、事前に参加申し込みをお願い致します。参加申込書をダウンロードしてご記入の上、問い合わせ先へメールまたはFAXにてご送付ください。
参加費：無料　（交流会費：2,000円）交流会の申込締切：１２月２０日（火）１月６日（金）

問い合わせ先：	東北大学多元物質科学研究所　冨田大輔
	〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
	TEL&FAX: 022-217-5647
	e-mail: tomidatagen.tohoku.ac.jp
	を@に変更してお送り下さい