安達助教が先日浜松にて開催されたThe 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)にて、Young Scientist Awardを受賞しました。
Masayoshi Adachi, Ryuta Sekiya, Hiroyuki Fukuyama
“Effects of growth temperature and solution coposition on AlN layer grown by Ga-Al liquid phase epitaxy”
