第6回 窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用を開催しました。
金 研 研究部共同研究（重点研究）
多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター
金属材料研究所の研究部共同研究で重点研究に採択されました課題「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」の第6回ミーティングを下記の通り開催いたします。 本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し，III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究を担う気鋭の研究者間の研究者コミュニティーを形成し、窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。 皆様、是非ご参加下さい。
日 時：平成23年12月26日（月）13:30 – 16:50 12月27日(火) 9:30 – 12:25
場 所：東北大学 金属材料研究所 本多記念館3階 視聴覚室
プログラム（敬称略）
12月26日（月）
13:30-13:45 はじめに 松岡 隆志 金研
13:45-14:15 窒化サファイア基板上PSD-GaNの特性 藤岡 洋 東京大学
14:15-14:45 窒化サファイア基板上LPE-AlN膜のツイストドメインとそのシングル化 安達 正芳 多元研
14:45-15:15 HVPE法によるAlN成長における転位低減技術とエッチピット評価 三宅 秀人 三重大学
15:15-15:30 休 憩
15:30-15:50 MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面の制御とTEM観察 宮川鈴衣奈 三重大学
15:50-16:20 InNのHVPE成長への原料供給分圧の影響 熊谷 義直 東京農工大学
16:20-16:50 窒化インジウムのエピタキシャル成長に関する研究の進展 松岡 隆志 金研
12月27日（火）
9:30-10:00 Si(111)基板上への中間組成InGaN膜のMOVPE成長 山本 暠勇 福井大学
10:00-10:30 InGaN混晶フォノンのラマン散乱研究(仮) 金 廷坤 京都工芸繊維大学
10:30-11:00 ワイドギャップ半導体導波路の作製と光学特性 片山 竜二 金研
11:00-11:10 休 憩
11:10-11:40 フェムト秒電子ビームを用いた窒化物半導体の時間分解分光計測(III) 秩父 重英 多元研
11:40-12:10 InNの基礎吸収端エネルギ－以下の光・電子物性の検討 今井 大地 千葉大学
12:10-12:25 おわりに 福山 博之 多元研
参加方法
参加費は無料です。事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越し下さい。
問い合わせ先
〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター
教授 福山博之（秘書：佐々木美和）
E-mail: miwas@tagen.tohoku.ac.jp Phone&Fax : 022-217-5178
