安達正芳さんが、7月にイギリス、グラスゴーにて開催された国際会議で、
Young Researcher Awardを受賞しました。
会議名：9th International Conference on Nitride semiconductors (ICNS-9)
ポスター題目：Dislocation and polarity analysis of AlN layer grown from liquid phase epitaxy using Ga-Al flux
これは、550件あるポスターの中の２名が受賞した優秀賞とのことです。 🙂
