| 金 研 研究部共同研究（重点研究） 多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター第4回 窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用 |
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金属材料研究所の研究部共同研究の中で重点研究に採択されました課題「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」の第4回ミーティングを下記の通り開催いたします。
本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し，III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究をリードする松岡隆志教授と次の窒化物研究を担う気鋭の研究者との間で研究者コミュニティーを形成し、窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。 皆様、是非ご参加下さい。 |
| 日時 | 2011年1月17日（月）～18日（火） | |
| 会場 | 東北大学金属材料研究所4号館5F508/508号室 |
プログラム(敬省略）
| 1月17日（月） | |||
| 13:30-13:45 | はじめに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
| 13:45-14:15 | 窒化サファイア基板上PXDエピ成長の特性 | 藤岡 洋（東京大学） | |
| 14:15-14:45 | AlxGa1-xN混晶膜の組成決定について | 金 廷坤（京都工芸繊維大学） | |
| 14:45-15:00 | 極性・非極性InGaN/GaN多重量子井戸LEDの光学特性の比較 | 崔 正焄（東北大学 金研） | |
| 15:00-15:15 | m面GaN基板上のInGaN薄膜のIn濃度の基板傾斜角依存性 | 正直花奈子（東北大学 金研） | |
| 15:15-15:30 | 休憩 | ||
| 15:30-16:00 | AlGaN薄膜への電子線励起による250nm帯深紫外光源開発 | 三宅秀人（三重大学） | |
| 16:00-16:15 | MOVPE法によるサファイア上へのAlN成長における界面制御 | 宮川鈴衣奈（三重大学） | |
| 16:15-16:30 | r面サファイア上へのa面GaN成長における異方性歪み | 馬 蓓（三重大学） | |
| 16:30-17:00 | 中間組域InGaNのMOVPE成長についての近況報告 | 杉田憲一（福井大学） | |
| 1月18日（火） | |||
| 9:30-10:00 | p型InNにおけるMgアクセプタの活性化エネルギー | 石谷善博（千葉大学） | |
| 10:00-10:30 | 窒化物半導体におけるエピタキシャル方位関係と構造安定性（仮） | 伊藤智徳（三重大学） | |
| 10:30-11：00 | 反応性スパッタ法による窒化サファイア基板上へのc軸配向AlN膜成長 | 福山博之（東北大学 多元研） | |
| 11:00-11：15 | 終わりに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
参加方法
| 参加費は無料です。
事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越しください。 |
問合せ先
| 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 教授 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話&FAX：022-217-5178 E-Mail : miwas(at)tagen.tohoku.ac.jp (at)を@にご変更願います。 |
